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FET,MOSFET - 單個
SI4483ADY-T1-GE3參考圖片

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SI4483ADY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
19.2A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
8.8 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
135nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3900pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.9W(Ta),5.9W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
暫無價格
參考庫存:42397
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
暫無價格
參考庫存:42405
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
暫無價格
參考庫存:42429
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:42453
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
暫無價格
參考庫存:42485
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