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FET，MOSFET - 單個
NVMYS4D6N04CLTWG參考圖片

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NVMYS4D6N04CLTWG

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q101
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
21A（Ta），78A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.5 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 40μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
23nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1300pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta）, 50W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK4（5x6）
封裝/外殼
SOT-1023，4-LFPAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:47303
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
暫無價格
參考庫存:47343
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
暫無價格
參考庫存:47359
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB
暫無價格
參考庫存:47375
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
暫無價格
參考庫存:47415
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