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FET，MOSFET - 單個
PHB18NQ10T,118參考圖片

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PHB18NQ10T,118

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
90 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
21nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
633pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
79W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
暫無價格
參考庫存:56627
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
暫無價格
參考庫存:56635
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD
暫無價格
參考庫存:56643
FET，MOSFET - 單個
HIGH POWER_NEW
暫無價格
參考庫存:56651
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 38A 8ULTRASO
暫無價格
參考庫存:56659
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