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FET，MOSFET - 單個
IRLU3636PBF參考圖片

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IRLU3636PBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
6.8 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
49nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3779pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
143W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I-PAK
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
商品其它信息
優勢價格，IRLU3636PBF的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
暫無價格
參考庫存:38253
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
暫無價格
參考庫存:38261
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
暫無價格
參考庫存:38269
FET，MOSFET - 單個
MOS DISCRETES
暫無價格
參考庫存:38277
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
暫無價格
參考庫存:38285
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