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FET，MOSFET - 單個
TK4P60DB(T6RSS-Q)參考圖片

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TK4P60DB(T6RSS-Q)

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
π-MOSVII
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
3.7A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2 歐姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
11nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
540pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
80W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:28229
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
暫無價格
參考庫存:28237
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
暫無價格
參考庫存:28245
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
暫無價格
參考庫存:28253
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28261
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