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FET,MOSFET - 單個
EPC2016參考圖片

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EPC2016

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  • GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
eGaN?
零件狀態(tài)
Digi-Key 停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
11A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
16 毫歐 @ 11A,5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 3mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
5.2nC @ 5V
Vgs(最大值)
+6V,-5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
520pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
模具
封裝/外殼
模具
商品其它信息
優(yōu)勢價格,EPC2016的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
暫無價格
參考庫存:40749
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:40773
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
暫無價格
參考庫存:40781
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
暫無價格
參考庫存:40805
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:40813
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