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FET，MOSFET - 單個
IXFN66N50Q2參考圖片

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IXFN66N50Q2

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
66A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
80 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
199nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
6800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
735W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SOT-227B
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
TRENCH_MOSFETS
暫無價格
參考庫存:12850
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
暫無價格
參考庫存:29212
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
暫無價格
參考庫存:42142
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
暫無價格
參考庫存:12447
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
暫無價格
參考庫存:42152
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