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FET，MOSFET - 單個
IPI110N20N3GAKSA1參考圖片

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IPI110N20N3GAKSA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
88A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
11 毫歐 @ 88A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 270μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
87nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
7100pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO262-3
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 8DFN
暫無價格
參考庫存:41667
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:41683
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
暫無價格
參考庫存:41699
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
暫無價格
參考庫存:41715
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
暫無價格
參考庫存:41723
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