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FET,MOSFET - 單個

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R6035ENZM12C8

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 35A TO PKG
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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
最後搶購
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
35A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
102 毫歐 @ 18.1A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
110nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2.72nF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
120W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-3
封裝/外殼
TO-3P-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
暫無價格
參考庫存:38477
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
暫無價格
參考庫存:38493
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK
暫無價格
參考庫存:38501
FET,MOSFET - 單個
LOW POWER_NEW
暫無價格
參考庫存:38517
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
暫無價格
參考庫存:38525
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