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FET，MOSFET - 單個

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R6520ENZC8

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
最後搶購
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
20A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
205 毫歐 @ 9.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 630μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
61nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1.4nF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
68W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-3
封裝/外殼
TO-3P-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
暫無價格
參考庫存:14185
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
暫無價格
參考庫存:50698
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 12A TO262
暫無價格
參考庫存:50714
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
暫無價格
參考庫存:50730
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
暫無價格
參考庫存:50764
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