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FET,MOSFET - 單個
IRFD010參考圖片

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IRFD010

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
1.7A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
200 毫歐 @ 860mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
13nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
250pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
4-DIP,Hexdip,HVMDIP
封裝/外殼
4-DIP(0.300",7.62mm)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V SO8FL
暫無價格
參考庫存:36195
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3
暫無價格
參考庫存:36235
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
暫無價格
參考庫存:36243
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
暫無價格
參考庫存:36259
FET,MOSFET - 單個
TRANS SJT 650V 7A TO-257
暫無價格
參考庫存:36283
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