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FET，MOSFET - 單個

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R6530KNZC8

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
最後搶購
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
140 毫歐 @ 14.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 960μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
56nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2.35nF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
86W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-3
封裝/外殼
TO-3P-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 60A
暫無價格
參考庫存:3727
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
暫無價格
參考庫存:26154
FET，MOSFET - 單個
SUPERFET3 650V FRFET,95MO
暫無價格
參考庫存:5156
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3
暫無價格
參考庫存:2293
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247-3
暫無價格
參考庫存:4135
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