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FET,MOSFET - 單個
PH5525L,115參考圖片

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PH5525L,115

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
81.7A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
5.5 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.15V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
16.6nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2150pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
62.5W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK56,Power-SO8
封裝/外殼
SC-100,SOT-669
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8DFN
暫無價格
參考庫存:35455
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
暫無價格
參考庫存:35463
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V QFN3333
暫無價格
參考庫存:35471
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V DFN
暫無價格
參考庫存:35479
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 23A TO263
暫無價格
參考庫存:35487
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