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FET，MOSFET - 單個
PH5525L,115參考圖片

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PH5525L,115

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
81.7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
5.5 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.15V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
16.6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2150pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼
SC-100，SOT-669
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8DFN
暫無價格
參考庫存:35455
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
暫無價格
參考庫存:35463
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V QFN3333
暫無價格
參考庫存:35471
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V DFN
暫無價格
參考庫存:35479
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 23A TO263
暫無價格
參考庫存:35487
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