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FET，MOSFET - 單個
SIA425EDJ-T1-GE3參考圖片

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SIA425EDJ-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
60 毫歐 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
1V @ 250μA
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.9W（Ta），15.6W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SC-70-6 單
封裝/外殼
PowerPAK? SC-70-6
商品其它信息
優勢價格，SIA425EDJ-T1-GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
暫無價格
參考庫存:37252
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
暫無價格
參考庫存:37260
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
暫無價格
參考庫存:37268
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
暫無價格
參考庫存:37284
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
暫無價格
參考庫存:37292
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