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FET,MOSFET - 單個
SIB419DK-T1-GE3參考圖片

圖片僅供參考, 請參閱產品規格

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SIB419DK-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
9A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
60 毫歐 @ 5.2A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
11.82nC @ 5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
562pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.45W(Ta),13.1W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SC-75-6L 單
封裝/外殼
PowerPAK? SC-75-6L
商品其它信息
優勢價格,SIB419DK-T1-GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
暫無價格
參考庫存:59207
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
暫無價格
參考庫存:59215
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
暫無價格
參考庫存:59247
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
暫無價格
參考庫存:59257
FET,MOSFET - 單個
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
暫無價格
參考庫存:59265
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