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FET,MOSFET - 單個
SIE836DF-T1-E3參考圖片

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SIE836DF-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
18.3A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
130 毫歐 @ 4.1A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
41nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1200pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5.2W(Ta),104W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
10-PolarPAK?(SH)
封裝/外殼
10-PolarPAK?(SH)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
暫無價格
參考庫存:274084
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:10719
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO
暫無價格
參考庫存:29386
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
暫無價格
參考庫存:29410
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 14A ECH8
暫無價格
參考庫存:264216
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