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FET，MOSFET - 單個
SI4890DY-T1-GE3參考圖片

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SI4890DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
12 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
800mV @ 250μA（最小）
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
20nC @ 5V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3PF
暫無價格
參考庫存:58318
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
暫無價格
參考庫存:58326
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
暫無價格
參考庫存:58334
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
暫無價格
參考庫存:58350
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:58358
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