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FET,MOSFET - 單個
PMPB20UN,115參考圖片

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PMPB20UN,115

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
6.6A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
25 毫歐 @ 6.6A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
7.1nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
460pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-DFN2020MD(2x2)
封裝/外殼
6-UDFN 裸露焊盤
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
暫無價格
參考庫存:55553
FET,MOSFET - 單個
MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
暫無價格
參考庫存:55569
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
暫無價格
參考庫存:55601
FET,MOSFET - 單個
TRANS SJT 300V 9A
暫無價格
參考庫存:9688
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 21A 78A 5DFN
暫無價格
參考庫存:34678
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