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FET，MOSFET - 單個
PMPB20UN,115參考圖片

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PMPB20UN,115

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6.6A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
25 毫歐 @ 6.6A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
7.1nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
460pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-DFN2020MD（2x2）
封裝/外殼
6-UDFN 裸露焊盤
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
暫無價格
參考庫存:55553
FET，MOSFET - 單個
MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
暫無價格
參考庫存:55569
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
暫無價格
參考庫存:55601
FET，MOSFET - 單個
TRANS SJT 300V 9A
暫無價格
參考庫存:9688
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 21A 78A 5DFN
暫無價格
參考庫存:34678
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