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FET，MOSFET - 單個
FDB6021P參考圖片

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FDB6021P

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
PowerTrench?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
28A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
30 毫歐 @ 14A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
28nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1890pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
37W（Tc）
工作溫度
-65°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263AB
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
暫無價格
參考庫存:41670
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 75A TO-262
暫無價格
參考庫存:41678
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
暫無價格
參考庫存:41686
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
暫無價格
參考庫存:41694
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
暫無價格
參考庫存:41702
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