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FET，MOSFET - 單個
NDD60N550U1-1G參考圖片

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NDD60N550U1-1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
8.2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
550 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
18nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
540pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
94W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
IPAK（TO-251）
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:39591
FET，MOSFET - 單個
CONSUMER
暫無價格
參考庫存:39607
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 4VSON
暫無價格
參考庫存:39615
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK
暫無價格
參考庫存:39647
FET，MOSFET - 單個
TRENCH >=100V
暫無價格
參考庫存:39655
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