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FET，MOSFET - 單個
IRF5806參考圖片

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IRF5806

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
86 毫歐 @ 4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
11.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
594pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
Micro6?（TSOP-6）
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
暫無價格
參考庫存:53159
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 53A 378A 5DFN
暫無價格
參考庫存:53167
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:53175
FET，MOSFET - 單個
T6 40V DPAK EXPANSION AND
暫無價格
參考庫存:82234
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3
暫無價格
參考庫存:7329
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