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FET,MOSFET - 單個
IRF9530NS參考圖片

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IRF9530NS

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
14A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
200 毫歐 @ 8.4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
58nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
760pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),79W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
暫無價格
參考庫存:49443
FET,MOSFET - 單個
SMALL SIGNAL+P-CH
暫無價格
參考庫存:49451
FET,MOSFET - 單個
FET ENGR DEV-NOT REL
暫無價格
參考庫存:49459
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
暫無價格
參考庫存:49467
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
暫無價格
參考庫存:49475
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