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FET，MOSFET - 單個
IPP080N06N G參考圖片

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IPP080N06N G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
OptiMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
80A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
8 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
93nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3500pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO220-3-1
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE
暫無價格
參考庫存:16758
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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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FET，MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
暫無價格
參考庫存:3466764
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
暫無價格
參考庫存:16766
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