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FET，MOSFET - 單個
IPI05CN10N G參考圖片

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IPI05CN10N G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
OptiMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
5.4 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
181nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
12000pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO262-3
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
優勢價格，IPI05CN10N G的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET PCH 60V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:46447
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
暫無價格
參考庫存:46457
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:11656
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
暫無價格
參考庫存:46467
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI
暫無價格
參考庫存:46475
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