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FET,MOSFET - 單個
IPI05CN10N G參考圖片

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IPI05CN10N G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
OptiMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
5.4 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
181nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
12000pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO262-3
封裝/外殼
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET PCH 60V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:46447
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
暫無價格
參考庫存:46457
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:11656
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
暫無價格
參考庫存:46467
FET,MOSFET - 單個
MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI
暫無價格
參考庫存:46475
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