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FET，MOSFET - 單個
IPI12CNE8N G參考圖片

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IPI12CNE8N G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
OptiMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
85V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
67A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
12.6 毫歐 @ 67A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 83μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
64nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4340pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO262-3
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
暫無價格
參考庫存:58062
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
暫無價格
參考庫存:58070
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
暫無價格
參考庫存:58078
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 52A TO-220F
暫無價格
參考庫存:58086
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:58102
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