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FET，MOSFET - 單個
IPB08CN10N G參考圖片

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IPB08CN10N G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
95A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
8.2 毫歐 @ 95A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 130μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
6660pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
167W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
NMOS DPAK 150V 22 MOHM
暫無價格
參考庫存:14432
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET
暫無價格
參考庫存:16934
FET，MOSFET - 單個
T8 80V
暫無價格
參考庫存:9436
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
暫無價格
參考庫存:16944
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 25A POWER56
暫無價格
參考庫存:16948
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