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FET,MOSFET - 單個
GP1M003A080H參考圖片

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GP1M003A080H

  • SemiQ
  • 最新
  • MOSFET N-CH 800V 3A TO220
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
3A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
4.2 歐姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
19nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
696pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
94W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
暫無價格
參考庫存:32439
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
暫無價格
參考庫存:32447
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
暫無價格
參考庫存:32463
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 130A TO-262
暫無價格
參考庫存:32471
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:32487
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