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FET，MOSFET - 單個
TPH3208LD參考圖片

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TPH3208LD

  • Transphorm
  • 最新
  • GANFET N-CH 650V 20A PQFN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
20A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
130 毫歐 @ 13A，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 300μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
14nC @ 8V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
760pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
4-PQFN（8x8）
封裝/外殼
4-PowerDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 70A TO252
暫無價格
參考庫存:34085
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 15A TO252
暫無價格
參考庫存:34093
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN
暫無價格
參考庫存:34101
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
暫無價格
參考庫存:34109
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
暫無價格
參考庫存:34117
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