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FET,MOSFET - 單個
PSMN1R6-40YLC,115參考圖片

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PSMN1R6-40YLC,115

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
1.55 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1.95V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
126nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
7790pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
288W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK56,Power-SO8
封裝/外殼
SOT-1023,4-LFPAK
商品其它信息
優勢價格,PSMN1R6-40YLC,115的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA
暫無價格
參考庫存:37352
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
暫無價格
參考庫存:37360
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
暫無價格
參考庫存:7735
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
暫無價格
參考庫存:37370
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK
暫無價格
參考庫存:37402
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