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FET,MOSFET - 單個
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IRF6706S2TRPBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
17A(Ta),63A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
3.8 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
20nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1810pF @ 13V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),26W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DIRECTFET S1
封裝/外殼
DirectFET? 等容 S1
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
暫無價格
參考庫存:45051
FET,MOSFET - 單個
T6 40V DPAK EXPANSION AND
暫無價格
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FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:18268
FET,MOSFET - 單個
MV8 P INITIAL PROGRAM
暫無價格
參考庫存:45079
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