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FET,MOSFET - 單個
IRLB3036GPBF參考圖片

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IRLB3036GPBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
195A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
2.4 毫歐 @ 165A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
140nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
11210pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
380W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
優勢價格,IRLB3036GPBF的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
暫無價格
參考庫存:32207
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
暫無價格
參考庫存:32215
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:32223
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:32231
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
暫無價格
參考庫存:32239
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