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FET，MOSFET - 單個
FDD306P參考圖片

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FDD306P

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
PowerTrench?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6.7A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
28 毫歐 @ 6.7A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
21nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1290pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
52W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 34A
暫無價格
參考庫存:8381
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
暫無價格
參考庫存:12245
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:8494
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
暫無價格
參考庫存:8334
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
暫無價格
參考庫存:10686
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