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FET,MOSFET - 單個
TPH3206LDB參考圖片

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TPH3206LDB

  • Transphorm
  • 最新
  • GANFET N-CH 650V 16A PQFN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
16A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
180 毫歐 @ 10A, 8V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
6.2nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±18V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
720pF @ 480V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
81W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PQFN(8x8)
封裝/外殼
4-PowerDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 65A WPAK
暫無價格
參考庫存:34245
FET,MOSFET - 單個
TRANSISTOR
暫無價格
參考庫存:34253
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB
暫無價格
參考庫存:34261
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 550V 20A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:34269
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
暫無價格
參考庫存:34277
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