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FET，MOSFET - 射頻
A2G26H281-04SR3參考圖片

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A2G26H281-04SR3

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS
頻率
2.496GHz ~ 2.69GHz
增益
14.2dB
電壓 - 測試
48V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
150mA
功率 - 輸出
50W
電壓 - 額定
125V
封裝/外殼
NI-780S-4L
供應商器件封裝
NI-780S-4L
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 68V 2.17GHZ NI880
暫無價格
參考庫存:38810
FET，MOSFET - 射頻
MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R
暫無價格
參考庫存:38818
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
暫無價格
參考庫存:38826
FET，MOSFET - 射頻
IC AMP RF LDMOS
暫無價格
參考庫存:38834
FET，MOSFET - 射頻
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
暫無價格
參考庫存:38842
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