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FET，MOSFET - 射頻
NE3516S02-T1C-A參考圖片

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NE3516S02-T1C-A

  • CEL
  • 最新
  • IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
晶體管類型
N 溝道 GaAs HJ-FET
頻率
12GHz
增益
14dB
電壓 - 測試
2V
額定電流（安培）
60mA
噪聲系數
0.35dB
電流 - 測試
10mA
功率 - 輸出
165mW
電壓 - 額定
4V
封裝/外殼
4-SMD，扁平引線
供應商器件封裝
S02
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
15W, GAN HEMT, 28V, DC-6.0GHZ, P
暫無價格
參考庫存:32910
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
暫無價格
參考庫存:4920
FET，MOSFET - 射頻
HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ
暫無價格
參考庫存:32920
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
暫無價格
參考庫存:32928
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 110V 27.5DB SOT467C
暫無價格
參考庫存:5376
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