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FET，MOSFET - 射頻

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MRF282SR1

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • FET RF 65V 2GHZ NI-200S
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
晶體管類型
LDMOS
頻率
2GHz
增益
11.5dB
電壓 - 測試
26V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
75mA
功率 - 輸出
10W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-200S
供應商器件封裝
NI-200S
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
JFET N-CH 15V 50MA SOT23
暫無價格
參考庫存:31690
FET，MOSFET - 射頻
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
暫無價格
參考庫存:6523
FET，MOSFET - 射頻
270W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH
暫無價格
參考庫存:31708
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF
暫無價格
參考庫存:31724
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
暫無價格
參考庫存:31732
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