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FET,MOSFET - 陣列
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CSD86311W1723

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
NexFET?
零件狀態
有源
FET 類型
2 N-通道(雙)
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
4.5A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
39 毫歐 @ 2A,8V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
585pF @ 12.5V
功率 - 最大值
1.5W
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
12-UFBGA,DSBGA
供應商器件封裝
12-DSBGA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:40047
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
暫無價格
參考庫存:40055
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:40063
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
暫無價格
參考庫存:40071
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:40079
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