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FET,MOSFET - 陣列
SI5511DC-T1-GE3參考圖片

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SI5511DC-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
4A,3.6A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
55 毫歐 @ 4.8A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
7.1nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
435pF @ 15V
功率 - 最大值
3.1W,2.6W
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SMD,扁平引線
供應商器件封裝
1206-8 ChipFET?
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN
暫無價格
參考庫存:16346
FET,MOSFET - 陣列
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參考庫存:16354
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