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FET，MOSFET - 單個
EPC2016C參考圖片

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EPC2016C

  • EPC
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  • GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
eGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
18A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
16 毫歐 @ 11A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 3mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
4.5nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
420pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
模具
封裝/外殼
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
SUPERFET3 650V D2PAK PKG
暫無價格
參考庫存:12458
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
暫無價格
參考庫存:6090
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8
暫無價格
參考庫存:46407
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:15573
FET，MOSFET - 單個
SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
暫無價格
參考庫存:28496
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