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FET，MOSFET - 單個

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SI8809EDB-T2-E1

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
90 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
15nC @ 8V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±8V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
4-Microfoot
封裝/外殼
4-XFBGA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
IC GAN FET 600V 23A 8HSOF
暫無價格
參考庫存:44253
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
暫無價格
參考庫存:23134
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH
暫無價格
參考庫存:2476
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
暫無價格
參考庫存:44265
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:44273
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