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FET,MOSFET - 單個
SIJ188DP-T1-GE3參考圖片

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SIJ188DP-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET? Gen IV
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
25,5A(Ta), 92,4A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
7.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
3.85 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3.6V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
44nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1920pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5W(Ta),65.7W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
暫無價格
參考庫存:43413
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:43437
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
暫無價格
參考庫存:43453
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
暫無價格
參考庫存:43461
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V TO PKG
暫無價格
參考庫存:43469
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