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FET,MOSFET - 單個
DMT8012LFG-7參考圖片

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DMT8012LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
80V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
9.5A(Ta),35A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
16 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
34nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1949pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.2W(Ta),30W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerDI3333-8
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:28229
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
暫無價格
參考庫存:28237
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
暫無價格
參考庫存:28245
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
暫無價格
參考庫存:28253
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28261
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