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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 單個(gè)
SIHJ10N60E-T1-GE3參考圖片

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SIHJ10N60E-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
E
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
10A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)
360 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)
50nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
784pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
89W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
8-PowerTDFN
商品其它信息
優(yōu)勢價(jià)格,SIHJ10N60E-T1-GE3的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
暫無價(jià)格
參考庫存:12278
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
暫無價(jià)格
參考庫存:14801
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
暫無價(jià)格
參考庫存:12145
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CHAN 40V
暫無價(jià)格
參考庫存:30706
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
暫無價(jià)格
參考庫存:11641
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