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FET，MOSFET - 單個
GA10JT12-263參考圖片

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GA10JT12-263

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
-
技術
SiC（碳化硅結晶體管）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
25A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
120 毫歐 @ 10A
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1403pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
-
封裝/外殼
-
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 235A TO-262
暫無價格
參考庫存:30641
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V LFPAK
暫無價格
參考庫存:30649
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
暫無價格
參考庫存:30657
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
暫無價格
參考庫存:30665
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:30681
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