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FET,MOSFET - 單個
SIE808DF-T1-E3參考圖片

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SIE808DF-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
60A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
1.6 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
155nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
8800pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5.2W(Ta),125W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
10-PolarPAK?(L)
封裝/外殼
10-PolarPAK?(L)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
暫無價格
參考庫存:38253
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
暫無價格
參考庫存:38261
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
暫無價格
參考庫存:38269
FET,MOSFET - 單個
MOS DISCRETES
暫無價格
參考庫存:38277
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
暫無價格
參考庫存:38285
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