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FET,MOSFET - 單個
R6012JNJGTL參考圖片

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R6012JNJGTL

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
12A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
390 毫歐 @ 6A,15V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
7V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
28nC @ 15V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
900pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
160W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LPTS
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
暫無價格
參考庫存:63149
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
暫無價格
參考庫存:63205
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
暫無價格
參考庫存:63229
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
暫無價格
參考庫存:63245
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:63269
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