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FET，MOSFET - 單個
R6012JNJGTL參考圖片

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R6012JNJGTL

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
390 毫歐 @ 6A，15V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
7V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
28nC @ 15V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
900pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
160W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LPTS
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
暫無價格
參考庫存:38477
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
暫無價格
參考庫存:38493
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK
暫無價格
參考庫存:38501
FET，MOSFET - 單個
LOW POWER_NEW
暫無價格
參考庫存:38517
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
暫無價格
參考庫存:38525
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