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FET,MOSFET - 單個
SIHD186N60EF-GE3參考圖片

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SIHD186N60EF-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
EF
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
19A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
201 毫歐 @ 9.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
32nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1118pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
156W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-PAK(TO-252AA)
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
暫無價格
參考庫存:39781
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:39789
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
暫無價格
參考庫存:39797
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
暫無價格
參考庫存:39805
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11
暫無價格
參考庫存:39829
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