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FET，MOSFET - 單個
GA100JT12-227參考圖片

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GA100JT12-227

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
-
技術
SiC（碳化硅結晶體管）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
160A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
10 毫歐 @ 100A
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
14400pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
535W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SOT-227
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
商品其它信息
優勢價格，GA100JT12-227的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
暫無價格
參考庫存:54404
FET，MOSFET - 單個
NCH 20V 3.5A POWER MOSFET
暫無價格
參考庫存:36977
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
暫無價格
參考庫存:36995
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
暫無價格
參考庫存:19460
FET，MOSFET - 單個
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
暫無價格
參考庫存:37039
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