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FET，MOSFET - 單個
PMT200EN,115參考圖片

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PMT200EN,115

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.8A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
235 毫歐 @ 1.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
10nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
475pF @ 80V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），8.3W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-223
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
暫無價格
參考庫存:35827
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
暫無價格
參考庫存:35859
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
暫無價格
參考庫存:35867
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
暫無價格
參考庫存:35907
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 550V TO220-3
暫無價格
參考庫存:35931
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