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FET,MOSFET - 單個
SIB417AEDK-T1-GE3參考圖片

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SIB417AEDK-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
8V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
9A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
32 毫歐 @ 3A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
18.5nC @ 5V
Vgs(最大值)
±5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
878pF @ 4V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.4W(Ta),13W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SC-75-6L 單
封裝/外殼
PowerPAK? SC-75-6L
商品其它信息
優勢價格,SIB417AEDK-T1-GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
暫無價格
參考庫存:43413
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:43437
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
暫無價格
參考庫存:43453
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
暫無價格
參考庫存:43461
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V TO PKG
暫無價格
參考庫存:43469
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